Technologie
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Googles Superspion DART-Cookie muss draußen bleiben!
Haben sie ab und zu das Gefühl, als würde ihnen jemand beim Internetshopping über die Schulter sehen? Beschleicht sie beim Zeitungslesen am PC oftmals das Gefühl, als ob jemand mitlesen würde? Sucht ihr Zeigefinger verkrampft die “Boss-Taste” auf Youtube, weil sie befürchten, dass jeden Moment der Chef ins Zimmer stürmt und sie fragt, was sie sich nun wieder für einen Schund ansehen?
Ohne die kleinen Keksmonster muss Googles Spionageabteilung Däumchen drehen.
Falls sie die obigen Fragen mit “ja” beantworten können, sollten sie ernsthaft einen Besuch beim Doc in Betracht ziehen. Wer hingegen einfach nur ohne Googles Permanentüberwachung auf Klick und Tritt auskommen will, kann Googles Superspion “DART-Cookie” mit ein paar Klicks dauerhaft vom Rechner verbannen. Zumindest funktionert das Browser-Add-On zur Deaktivierung von Google Analytics in der Beta-Version bereits für Internet Explorer (7 und 8), Google Chrome (4.x und höher) und Mozilla Firefox (3.5 und höher).
Aber: Nachdem sie das Browser-Add-On zur Deaktivierung von Google Analytics installiert haben, werden sie beim Surfen trotzdem weiterhin mit kleinen “Keksen” in Hülle und Fülle überhäuft. Googles besonders geschwätziger DoubleClick DART-Cookie bleibt aber vorerst draußen.
Quellen:
Browser-Add-on zur Deaktivierung von Google Analytics (BETA)
Google-Richtlinie zu Cookies für Anzeigenvorgaben und Datenschutzbestimmungen
Samsung entwickelt Mobile-DRAM mit Wide-I/O-Interface
Samsung hat heute die Entwicklung von 1 Gigabit Mobil-DRAM mit Wide-I/O-Interface angekündigt, die im 50-nm-Verfahren hergestellt werden. Die neuen Wide-I/O-Mobile-DRAM sollen künftig in Geräten wie Smartphones und Tablets eingesetzt werden. Laut Byungse So, Senior-Vizepäsident des Unternehmensbereichs Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung Electronics, stellt die neue Mobile-DRAM-Lösung mit Wide-I/O-Interface einen wichtigen Beitrag zur Weiterentwicklung von mobilen Hochleistungsprodukten dar.
Samsung entwickelt Mobile-DRAM mit Wide-I/O-Interface
So können die neuen 1-Gb-Wide-I/O-DRAM Datenströme mit 12,8 GB/s bewältigen, was die Bandbreite von DDR DRAM (1,6 GB/s) für mobile Endgeräte verachtfacht und gleichzeitig den Energieverbrauch um etwa 87 Prozent reduziert. Die Bandbreite ist im Vergleich zu LPDDR2 DRAM (~ 3,2 GB/s) rund 4x höher.
Während die Vorgängergeneration der Mobile-DRAMs noch mit 32 Pins für den Dateneingang und -ausgang auskommen mussten, können die neuen Samsung Wide-I/O-DRAM zur Erhöhung der Bandbreite nun 512 Pins nutzen. Bezieht man die Pins für die Befehlsstrukturen und die Stromversorgungen mit ein, dann hat ein einzelner Samsung Wide-I/O-DRAM-Chip sogar etwa 1.200 Pins.
Samsung Mobile Wide I/O DRAM Wafer
Nach den heute vorgestellten Wide-I/O-DRAMs will Samsung im Verlauf 2013 dann 4-Gb-Varianten in 20 Nanometern bringen. Damit treibt Samsung seine Halbleiterfertigung im Bereich DRAM weiter voran. Samsung hatte bereits im Jahr 2009 die ersten 1 Gb LPDDR2 DRAM in 50-nm-Strukturbreite und 2010 die ersten 2 Gb LPDDR2 in 40 nm entwickelt.
Samsung präsentiert seine Wide-I/O-DRAM-Technologie auch auf der International Solid-State Circuits Conference 2011 (ISSCC), die vom 20. bis 24. Februar in San Francisco stattfindet.
International Solid-State Circuits Conference 2011 (ISSCC)
Quellen: Samsung, International Solid-State Circuits Conference 2011
