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Samsung hat heute die Entwicklung von 1 Gigabit Mobil-DRAM mit Wide-I/O-Interface angekündigt, die im 50-nm-Verfahren hergestellt werden. Die neuen Wide-I/O-Mobile-DRAM sollen künftig in Geräten wie Smartphones und Tablets eingesetzt werden. Laut Byungse So, Senior-Vizepäsident des Unternehmensbereichs Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung Electronics, stellt die neue Mobile-DRAM-Lösung mit Wide-I/O-Interface einen wichtigen Beitrag zur Weiterentwicklung von mobilen Hochleistungsprodukten dar.

Samsung entwickelt Mobile-DRAM mit Wide-I/O-Interface

So können die neuen 1-Gb-Wide-I/O-DRAM Datenströme mit 12,8 GB/s bewältigen, was die Bandbreite von DDR DRAM (1,6 GB/s) für mobile Endgeräte verachtfacht und gleichzeitig den Energieverbrauch um etwa 87 Prozent reduziert. Die Bandbreite ist im Vergleich zu LPDDR2 DRAM (~ 3,2 GB/s) rund 4x höher.

Während die Vorgängergeneration der Mobile-DRAMs noch mit 32 Pins für den Dateneingang und -ausgang auskommen mussten, können die neuen Samsung Wide-I/O-DRAM zur Erhöhung der Bandbreite nun 512 Pins nutzen. Bezieht man die Pins für die Befehlsstrukturen und die Stromversorgungen mit ein, dann hat ein einzelner Samsung Wide-I/O-DRAM-Chip sogar etwa 1.200 Pins.

Samsung Mobile Wide I/O DRAM Wafer

Nach den heute vorgestellten Wide-I/O-DRAMs will Samsung im Verlauf 2013 dann 4-Gb-Varianten in 20 Nanometern bringen. Damit treibt Samsung seine Halbleiterfertigung im Bereich DRAM weiter voran. Samsung hatte bereits im Jahr 2009 die ersten 1 Gb LPDDR2 DRAM in 50-nm-Strukturbreite und 2010 die ersten 2 Gb LPDDR2 in 40 nm entwickelt.

Samsung präsentiert seine Wide-I/O-DRAM-Technologie auch auf der International Solid-State Circuits Conference 2011 (ISSCC), die vom 20. bis 24. Februar in San Francisco stattfindet.

International Solid-State Circuits Conference 2011 (ISSCC)

Quellen: Samsung, International Solid-State Circuits Conference 2011